晶圓劃片是半導體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序，在晶圓制造中屬后道工序。
將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒），稱之為晶圓劃片。
近年來光電產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。高集成度和高性能的半導體晶圓劃片需求不斷增長。
硅、碳化硅、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應用于半導體晶圓的襯底材料。
隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向于輕薄化，傳統(tǒng)的很多加工方式已不再適用。于是部分工序引入了激光隱形切割技術。
方案推薦
半導體晶圓切割機的激光隱形切割技術是一種全新的激光切割工藝，其主要原理是將短脈沖激光光束透過材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質(zhì)層，然后通過外部施加壓力使芯片分開。
成本分析
采用皮秒激光器、定制聚焦頭， 聚焦光束直徑小到3μm，切割道僅需10μm，切縫窄，更多的芯片出片率，無熱效應，對芯片電路無損傷。
劃片速度高達500mm/s, 對于厚度1mm內(nèi)樣品，激光劃線僅需一次即可折斷。
CCD視覺預掃描&自動抓靶定位、最大加工范圍650mm×450mm、XY平臺拼接精度≤±3μm。
無錐度切割、最小崩邊3μm, 邊緣光滑。支持多種視覺定位特征，如十字、實心圓、空心圓、L型直角邊、影像特征點等。
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